◆45纳米的Penryn晶体管密度提升了2倍，从而使芯片体积更小，Conroe有5.8亿个晶体管，核心面积是143平方毫米。Penryn有8.2亿个晶体管，核心面积是107平方毫米，在晶体管数量方面是前者的2倍。
◆主频方面，基于65nm制程技术的四核Xeon处理器的主频最高才3GHz，而基于45nm制程技术的处理器的最高主频已经有了3.3GHz的工程样品，由此可见工艺的提升对产品主频的提升。
◆缓存方面，65纳米的Conroe最高缓存可以达到8MB，45纳米的Penryn最高缓存可以达到12MB。
◆45纳米的Penryn Xeon处理器的推出不仅仅是提升了技术指标，用户可以仅更换CPU来升级整个的平台，从而降低投资成本…[详细] |
◆二级缓存：四核45纳米Xeon处理器的二级缓存全部采用12MB Cache。双核45纳米产品的二级缓存则是采用6MB Cache。
◆前端总线：在前端总线方面共有3种，其中1066MHz前端总线的处理器只有E5205一款。1600MHz前端总线的处理器有：X5482\X5472\E5472\E5462\X5272。其余处理器均为1333MHz前端总线。
◆主频：新制程的45纳米处理器主频从1.86GHz一直飙升到3.40GHz，当然最低和最高主频的处理器都在双核产品上。
◆功耗：在功耗方面主要150W、120W、80W和65W四种。80W为标准功耗，可以看到无论是双核还是四核处理器，以X开头的处理器编号功耗较高、以E开头的处理器编号的功耗偏低…[详细]
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◆在英特尔的发展蓝图中，2007年年末推出45纳米技术的产品，2009年推出32纳米技术的产品，2011年推出22纳米技术的产品。
◆革命性的High-k材料和金属栅极晶体管。在英特尔45纳米制程技术中，High-K材料与金属栅极的组合，使驱动电流或晶体管性能提高了20%以上。同时，使源极-漏极漏电降低了5倍以上，大幅提高了晶体管的能效。
◆45纳米制作工艺融合了高介电薄膜(High-K Dielectrics)材料和金属门电路，成功解决了解决了漏电危机和信号延迟问题。
◆Intel 45纳米工艺制程有效的降低了功耗问题，测试数据显示Intel 45纳米工艺在性能提升和功耗降低两个方面都都表现很好…[详细] |
◆1纳米只有10亿分之一米，百万分之一毫米，和千分之一微米。这个极其微小的空间，正好是原子和分子的尺寸范围，也是它们相互作用的空间。在这样的一个尺度空间，由于量子效应、物质的局域性及巨大的表面和界面效应，使物质的很多性能发生质变。
◆45纳米技术就是2007年一项重大的技术革命，最明显的例子，也是最具实效性例子就是因特尔推出了45纳米处理器，而且45纳米处理器必然成为以后处理器领域的主流产品。
◆45纳米技术除了在高端计算机设备上的使用，日常生活中处处都可以用到纳米技术。随着纳米技术的广泛应用，纳米陶瓷随之产生，希望以此来克服陶瓷材料的脆性，使陶瓷具有像金属一样的柔韧性和可加工性…[详细]
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