三五年内 手机存储卡可做到1000个G

通信南京日报谈洁2014-05-27 07:40
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[摘要]专家称,手机信息贮存能力的扩大需要借助有机光电子学的应用研究。

三五年内 手机存储卡可做到1000个G

本报讯(通讯员 杨芳 记者 谈洁)只要三五年时间,手机的存储容量就可以达到1000个G,轻松携带一个图书馆不再是梦想。昨天,在有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地、南京工业大学等联办的“光电子学、材料与能源国际研讨会”上,专家透露了这一令人期待的消息。

研讨会上,来自美、英、德、意、新加坡等国家的顶级专家学者,包括美国纳米科技领军人物、奥巴马总统科技顾问Chad A Mirkin教授,著名有机光电子学领军科学家、美国艺术与科学院院士Fred Wudl 教授等,与中国科学院、国家纳米科学中心、北京大学、香港理工大学等高校科研机构的专家学者,一起交流研讨了光电子学、材料与能源等前沿学科最新研究、应用成果及面临的挑战。

据本次大会主席、中科院院士、南京工业大学校长黄维介绍,20世纪是高耗能高污染的硅材料世纪,21世纪则是低能耗低污染的碳材料世纪,而基于碳材料的有机光电子学,将给我们的生活带来很大改变。

黄维举例,伴随着有机光电子学的应用研究,电子纸、可弯曲的电视屏幕等将不再是梦想,未来的手机也将设计成“手表”,具有强大的数据存储等功能,人们可以轻松携带一座超大容量的图书馆,国家图书馆、大英博物馆都可以贮存在手机里。

“其关键在于手机信息贮存能力的扩大,现在手机里的存储卡最大不过几十个G,通过有机光电子学的应用研究,三五年内就能做到1000个G。”黄维解释。

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